[发明专利]一种晶圆的键合方法有效
| 申请号： | 201510575483.2 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105271108B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平;周玉;曹静;胡胜;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 方法 | ||
1.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10、提供第一晶圆、第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括硅基底和设置于所述硅基底之上的金属层；
步骤S20、于所述第一晶圆和所述第二晶圆之上制备贴合层后，将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上，以形成键合晶圆；
步骤S30、对所述第一晶圆进行减薄工艺；
步骤S40、切割所述键合晶圆边缘区域，导致边缘区域的金属层被暴露出来；
步骤S50、于所述金属层暴露的表面上沉积一保护层；
于所述步骤S30中，减薄所述第一晶圆，并于所述第一晶圆和所述第二晶圆的所述贴合层形成一内缩式切口倒角；
于所述步骤S40中，所述边缘区域的水平距离大于或等于所述内缩式切换倒角的水平距离。
2.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，采用沉积工艺制备所述贴合层，所述贴合层由二氧化硅沉积形成。
3.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，于所述步骤S30中，采用机械研磨方式减薄所述第一晶圆。
4.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，于所述步骤S30中，采用化学刻蚀方式减薄所述第一晶圆。
5.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，于所述步骤S50中，具体包括；
步骤S51、沉积所述第一保护层，所述第一保护层完全覆盖所述金属层暴露的表面；
步骤S52、沉积所述第二保护层，以使所述第二保护层完全覆盖所述第一保护层。
6.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层、以及位于所述第一保护层表面的第二保护层，所述第一保护层由氮化硅形成。
7.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层、以及位于所述第一保护层表面的第二保护层，所述第二保护层由二氧化硅形成。
8.根据权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，所述金属层的材质为铜。
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