[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201510565878.4 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105401218B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 白井嵩幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B7/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供了不包含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板14与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液24接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括作为Si‑C溶液24，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的总量为基准，包含3原子％以上的Al的Si‑C溶液24，以及，设定Si‑C溶液24的表面区域的温度梯度y(℃/cm)，使得满足式(1)y≥0.15789x+21.52632(1)(式中，x表示上述Si‑C溶液中的Al含量(原子％))。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为所述Si‑C溶液，使用包含Si、Cr和Al且以所述Si、Cr和Al的总量为基准，包含30～77原子％的所述Si、包含20～60原子％的所述Cr及包含3～50原子％的所述Al的Si‑C溶液，以及设定相对于所述Si‑C溶液的液面的垂直方向的表面区域的温度梯度y，使得满足式(1)：y≥0.15789x+21.52632 (1)，式中，x表示所述Si‑C溶液中的以原子百分比计的Al含量，y的单位为℃/cm。
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