[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201510565878.4 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105401218B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 白井嵩幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B7/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：
作为所述Si-C溶液，使用包含Si、Cr和Al且以所述Si、Cr和Al的总量为基准，包含30～77原子％的所述Si、包含20～60原子％的所述Cr及包含3～50原子％的所述Al的Si-C溶液，以及
设定相对于所述Si-C溶液的液面的垂直方向的表面区域的温度梯度y，使得满足式(1)：
y≥0.15789x+21.52632 (1)，
式中，x表示所述Si-C溶液中的以原子百分比计的Al含量，y的单位为℃/cm。
2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其包括：在所述Si-C溶液中的Al含量为3～41原子％的范围内，将所述Si-C溶液的表面区域的温度梯度设为28～55℃/cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510565878.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
