[发明专利]具有增强的离子化和RF 功率耦合的低电阻率钨PVD

摘要

一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

主权项

1.一种等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括：靶材，所述靶材具有第一表面及第二表面，所述第一表面与处理区域接触，并且所述第二表面为所述第一表面的相反面；射频功率供应器或直流功率供应器，所述射频功率供应器或直流功率供应器耦接至所述靶材；接地且被加热的挡板，所述挡板至少部分地包围所述处理区域的一部分，并且所述挡板电性耦接至接地；基板支撑件，所述基板支撑件具有基板接收表面，所述基板接收表面设置在所述靶材下方，所述基板支撑件进一步包括电极，所述电极设置在所述基板接收表面的下方；盖环；沉积环，所述沉积环设置在所述基板支撑件的一部分的上方，其中在处理期间所述盖环设置在所述沉积环的一部分上；基座接地组件，所述基座接地组件设置在所述基板支撑件的下方，并且所述基座接地组件包括板，所述板具有U形部，所述U形部延伸在基板支撑组件与所述接地挡板的环支撑部之间；以及磁控管，所述磁控管设置于所述靶材的所述第二表面的邻近处，其中所述磁控管包括：外侧磁极，所述外侧磁极包括多个磁体；以及内侧磁极，所述内侧磁极包括多个磁体，其中所述外侧磁极与所述内侧磁极形成封闭回路式磁控管组件，其中所述外侧磁极与所述内侧磁极各自建立磁场，其中由所述外侧磁极所产生的所述磁场与由所述内侧磁极所产生的所述磁场的比值在1.56至0.57。