[发明专利]具有增强的离子化和RF 功率耦合的低电阻率钨PVD

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括：

靶材，所述靶材具有第一表面及第二表面，所述第一表面与处理区域接触，并且所述第二表面为所述第一表面的相反面；

射频功率供应器或直流功率供应器，所述射频功率供应器或直流功率供应器耦接至所述靶材；

接地且被加热的挡板，所述挡板至少部分地包围所述处理区域的一部分，并且所述挡板电性耦接至接地；

基板支撑件，所述基板支撑件具有基板接收表面，所述基板接收表面设置在所述靶材下方，所述基板支撑件进一步包括电极，所述电极设置在所述基板接收表面的下方；

盖环；

沉积环，所述沉积环设置在所述基板支撑件的一部分的上方，其中在处理期间所述盖环设置在所述沉积环的一部分上；

基座接地组件，所述基座接地组件设置在所述基板支撑件的下方，并且所述基座接地组件包括板，所述板具有U形部，所述U形部延伸在基板支撑组件与所述接地挡板的环支撑部之间；以及

磁控管，所述磁控管设置于所述靶材的所述第二表面的邻近处，其中所述磁控管包括：

外侧磁极，所述外侧磁极包括多个磁体；以及

内侧磁极，所述内侧磁极包括多个磁体，其中所述外侧磁极与所述内侧磁极形成封闭回路式磁控管组件，其中所述外侧磁极与所述内侧磁极各自建立磁场，其中由所述外侧磁极所产生的所述磁场与由所述内侧磁极所产生的所述磁场的比值在1.56至0.57。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中由设置在所述内侧磁极的所述多个磁体所产生的所述磁场大于由设置在所述外侧磁极中的所述多个磁体所产生的所述磁场。

3.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述电极将射频功率偏压提供给所述基板支撑件。

4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述接地挡板是单件。

5.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述接地挡板具有多个孔，所述多个孔贯穿所述环支撑部。

6.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中由所述外侧磁极所产生的所述磁场与由所述内侧磁极所产生的所述磁场的比值在1.15至0.93。

7.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，其中所述封闭回路式磁控管绕着所述靶材的中心而置中设置。

8.如权利要求7所述的等离子体处理腔室，其中所述封闭回路式磁控管是径向对称。

9.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，其中所述外侧磁极和所述内侧磁极的磁体沿第一轴呈对称分布并且沿第二轴呈不对称分布。

10.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，其中所述外侧磁极包括34个磁体，并且所述内侧磁极包括60个磁体。

11.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述靶材与所述接地挡板由隔离环电性隔离。