[发明专利]具有集成温度传感器的半导体开关有效
| 申请号： | 201510557883.0 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105406850B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | N·克里施克;R·伊玲;B·奥尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及具有集成温度传感器的半导体开关。具体地，本文描述了一种半导体器件。根据本发明的一个示例，一种半导体器件包括半导体本体、设置在半导体本体上的至少一个布线层以及集成在半导体本体中的场效应晶体管。场效应晶体管具有位于形成在半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极。第一电路集成在半导体本体中，与场效应晶体管相邻，并且第二电路集成在半导体本体中，与第一电路远离。至少第一附加沟槽形成在半导体本体中，其中第一附加沟槽包括至少一条连接线，其将第一电路与第二电路电连接。此外，半导体器件包括至少一个导电焊盘，其形成在至少一个布线层中。至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖第一附加沟槽以形成连接线的屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 温度传感器 半导体 开关 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体本体；至少一个布线层，设置在所述半导体本体上；场效应晶体管，集成在所述半导体本体中，所述场效应晶体管具有位于形成在所述半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极；温度传感器，集成在所述半导体本体中，与所述场效应晶体管相邻；温度感测电路，集成在所述半导体本体中，并与所述温度传感器远离；至少一个第一附加沟槽，形成在所述半导体本体中，所述第一附加沟槽包括至少一条感测线，所述至少一条感测线电连接所述温度传感器和所述温度感测电路；至少一个导电焊盘，形成在所述至少一个布线层中，所述至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖所述第一附加沟槽以形成所述感测线的屏蔽。
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