[发明专利]具有集成温度传感器的半导体开关

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体本体；

至少一个布线层，设置在所述半导体本体上；

场效应晶体管，集成在所述半导体本体中，所述场效应晶体管具有位于形成在所述半导体本体中的对应栅极沟槽中的多个栅电极；

温度传感器，集成在所述半导体本体中，与所述场效应晶体管相邻；

温度感测电路，集成在所述半导体本体中，并与所述温度传感器远离；

至少一个第一附加沟槽，形成在所述半导体本体中，所述第一附加沟槽包括至少一条感测线，所述至少一条感测线电连接所述温度传感器和所述温度感测电路；

至少一个导电焊盘，形成在所述至少一个布线层中，所述至少一个导电焊盘被布置为至少部分地覆盖所述第一附加沟槽以形成所述感测线的屏蔽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽中布置有两条感测线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述半导体本体中的第二附加沟槽，所述第二附加沟槽包括至少一条感测线，该至少一条感测线电连接所述温度传感器和所述温度感测电路。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽和所述第二附加沟槽均包括单条感测线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽包括连接所述温度感测电路和所述温度传感器以向所述温度传感器提供限定电流的附加电力线。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一附加沟槽和所述第二附加沟槽均包括连接所述温度感测电路和所述温度传感器以向所述温度传感器提供限定电流的附加电力线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述温度感测电路包括用于提供所述限定电流的稳定恒流源。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一条感测线连接所述温度感测电路和所述温度传感器，以向所述温度传感器施加电压或者感测所述温度传感器处的电压。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：接触层，设置在所述半导体本体上，使得所述至少一个布线层位于所述接触层和所述半导体本体之间，其中所述接触层电连接至所述场效应晶体管的第一负载端。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘电耦合地连接至所述场效应晶体管的第二负载端。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘可操作地耦合至恒定电位。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成所述屏蔽的所述导电焊盘与所述半导体本体电耦合。

13.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述感测线和所述电力线通过绝缘层与周围的半导体本体隔离。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述绝缘层根据在所述沟槽中的位置具有可变厚度。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场效应晶体管由晶体管单元的阵列组成，每一个单元均与栅电极相关联，其中通过所述晶体管单元的阵列布局所述第一附加沟槽。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述温度传感器是二极管或双极晶体管的基极-发射极二极管。