[发明专利]抛光组合物及抛光钴膜的方法有效
| 申请号： | 201510552487.9 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105400434B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汪璐玲;阿布达亚·米什拉;迪帕克·马胡利卡尔;理查德·文 | 申请（专利权）人： | 富士胶片平面解决方案有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及抛光组合物及抛光钴膜的方法。本公开涉及能够抛光半导体基底中的钴(Co)膜的抛光组合物，所述基底包含包括Co、金属、金属氧化物及电介质材料的多层膜。这些抛光组合物包含磨料、起去除速率增强剂(RRE)作用的弱酸、pH调节剂及包含吡咯的腐蚀抑制剂(CI)。RRE、pH调节剂及CI的pKa在1‑18范围内(1(pKamin)＜pKa＜18(pKamax))。各组分的pKa值与抛光组合物/浆料(pH浆料)通过下式相关联：pKamin+6＜pH浆料＜pKamax‑6。抛光组合物还含有小于约100份每百万份(ppm)的硫酸根离子和小于约100ppm的卤素离子，并且工作在7至12的pH范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光含钴材料的抛光组合物，包含：a)磨料；b)弱酸去除速率增强剂；c)包含吡咯的腐蚀抑制剂，其选自：三唑、四唑、苯并三唑、甲苯三唑、氨基三唑、氨基苯并咪唑、吡唑、咪唑、氨基四唑及其混合物；以及d)pH调节剂；其中所述弱酸去除速率增强剂、所述腐蚀抑制剂和所述pH调节剂各自的pKa在1至18之间，其中所述组合物的pH在7至12之间，其中所述弱酸去除速率增强剂和所述腐蚀抑制剂各自的pKa具有最大值pKamax和最小值pKamin，使得遵守下式：pKamin+6＜pH＜pKamax–6，并且其中所述组合物含有基于所述组合物的总重量各自为小于100份每百万份的硫酸根离子和小于100份每百万份的卤素离子。
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