[发明专利]抛光组合物及抛光钴膜的方法

权利要求书

1.一种用于抛光含钴材料的抛光组合物，包含：

a)磨料；

b)弱酸去除速率增强剂；

c)包含吡咯的腐蚀抑制剂，其选自：三唑、四唑、苯并三唑、甲苯三唑、氨基三唑、氨基苯并咪唑、吡唑、咪唑、氨基四唑及其混合物；以及

d)pH调节剂；

其中所述弱酸去除速率增强剂、所述腐蚀抑制剂和所述pH调节剂各自的pKa在1至18之间，

其中所述组合物的pH在7至12之间，

其中所述弱酸去除速率增强剂和所述腐蚀抑制剂各自的pKa具有最大值pKa_max和最小值pKa_min，使得遵守下式：

pKa_min+6＜pH＜pKa_max–6，并且

其中所述组合物含有基于所述组合物的总重量各自为小于100份每百万份的硫酸根离子和小于100份每百万份的卤素离子。

2.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述磨料选自：氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、及其共同形成的产物；涂布磨料、表面改性磨料、及其混合物。

3.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述弱酸去除速率增强剂选自：葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、羟乙酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、过氧乙酸、琥珀酸、氨基乙酸、苯氧乙酸、N-二(羟乙基)甘氨酸、磷酸、二甘醇酸、甘油酸、N-三(羟甲基)甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸，及其混合物。

4.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述磨料以基于所述组合物的总重量为0.05至15的重量百分比存在。

5.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述弱酸去除速率增强剂以基于所述组合物的总重量为0.1至20的重量百分比存在。

6.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述腐蚀抑制剂以基于所述组合物的总重量为0.05至10的重量百分比存在。

7.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述弱酸去除速率增强剂、所述腐蚀抑制剂和所述pH调节剂的pKa在2至10的范围内。

8.权利要求7所述的抛光组合物，其中所述组合物含有小于50份每百万份(ppm)的硫酸根离子和小于50ppm的卤素离子。

9.权利要求1所述的抛光组合物，其中所述pH调节剂为选自如下的弱酸：柠檬酸、酒石酸、苹果酸、羟乙酸、丙二酸、草酸、乙酸、丙酸、过氧乙酸、琥珀酸、乳酸、及其组合。

10.权利要求1所述的抛光组合物，其中在动电位塔费尔曲线中Cu和Co之间的腐蚀电位差ΔE_corr小于30mV，使得ΔE_corr＜30mV。

11.一种使用点用抛光浆料，其包含权利要求1所述的抛光组合物，其中在使用点向权利要求1所述的抛光组合物中加入氧化剂。

12.权利要求11所述的抛光浆料，其中所述氧化剂为过氧化氢、过硫酸铵或其组合。

13.权利要求11所述的抛光浆料，其中在所述使用点用抛光浆料中包含的所述氧化剂的量基于所述抛光浆料的总重量为0.0001的重量百分比至5的重量百分比。