[发明专利]凸块结构、封装组件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510549539.7 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486444B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林正忠;蔡奇风 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种凸块结构、封装组件及其形成方法，所述凸块结构包括：导电柱，所述导电柱的顶部形成有凹面；覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电柱的顶部；焊料层，所述焊料层位于所述凹面内的所述覆盖层上。通过在导电柱的顶部设置凹面，并将焊料层设置于所述凹面内，使得所述焊料层在倒装芯片回流工艺后，即使在高温条件下，所述焊料层会被限制在所述凹面内，不会从其原有的位置凸出至所述导电柱的两侧，可以有效地避免相邻焊料层接触发生短路；本发明可以使得倒装芯片封装件的尺寸更小、更轻，进而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 封装 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装用凸块结构，其特征在于，所述凸块结构包括：导电柱，所述导电柱的顶部形成有凹面，所述凹面在电镀工艺中形成且所述凹面的宽度小于所述导电柱的宽度，所述凹面的纵截面形状为半椭圆形；覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电柱的顶部，所述覆盖层包括Ni层；焊料层，所述焊料层位于所述凹面内的所述覆盖层上，所述焊料层的厚度小于所述凹面的深度；所述覆盖层的宽度等于所述导电柱的宽度；所述焊料层的宽度小于或等于所述导电柱宽度的四分之三。
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