[发明专利]一种硅通孔的减薄方法有效
| 申请号： | 201510547822.6 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105215840B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔的减薄方法，包含第1步，将带有钨填充的硅通孔的晶圆正面贴上一层保护膜；第2步，调整减薄机台的精磨轴的磨轮目数；第3步，设定精磨轴的压力阶段，包含如压力稳定阶段、压力收集阶段、压力变化阶段，或者其他的划分方法；第4步，对晶圆进行研磨减薄，并对精磨轴的压力进行实时监控，到达设定压力阶段时停止研磨；第5步，将晶圆正面保护膜去除，硅通孔减薄完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的减薄方法，其特征在于：包含如下的步骤：第1步，将带有钨填充的硅通孔的晶圆正面贴上一层保护膜；第2步，调整减薄机台的精磨轴的磨轮目数；第3步，设定精磨轴的压力阶段；第4步，对晶圆进行研磨减薄，并对精磨轴的压力进行实时监控，到达设定压力阶段时停止研磨；第5步，将晶圆正面保护膜去除，硅通孔减薄完成。
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