[发明专利]一种硅通孔的减薄方法有效
| 申请号： | 201510547822.6 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105215840B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 方法 | ||
1.一种硅通孔的减薄方法，其特征在于：包含如下的步骤：
第1步，将带有钨填充的硅通孔的晶圆正面贴上一层保护膜；
第2步，调整减薄机台的精磨轴的磨轮目数；
第3步，设定精磨轴的压力阶段；
第4步，对晶圆进行研磨减薄，并对精磨轴的压力进行实时监控，到达设定压力阶段时停止研磨；
第5步，将晶圆正面保护膜去除，硅通孔减薄完成。
2.如权利要求1所述的硅通孔的减薄方法，其特征在于：所述第1步中，硅通孔的深度为25～700μm，视工艺需求而定；所述保护膜为任何对晶圆正面能形成保护的膜层，其材质包含聚酰亚胺、玻璃、聚乙烯，其厚度为10～400μm。
3.如权利要求1所述的硅通孔的减薄方法，其特征在于：所述第2步中，将精磨轴的磨轮目数设定为100～2000。
4.如权利要求1所述的硅通孔的减薄方法，其特征在于：所述第3步中，精磨轴的压力阶段能设置成三个步骤，包含压力稳定步骤、压力收集步骤以及压力变化步骤。
5.如权利要求4所述的硅通孔的减薄方法，其特征在于：所述的压力阶段不仅限于设置成三个步骤，还能设置成一个、两个、四个及以上的步骤。
6.如权利要求1或4所述的硅通孔的减薄方法，其特征在于：所述第4步中，对精磨轴的压力进行实时监控，当达到15～70KPa时停止，具体停止时的压力视压力收集步骤而定，或者是压力变化到压力收集步骤的1.5～7倍停止。
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