[发明专利]一种CO2优先渗透的有机‑无机杂化SiO2膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510547585.3 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105148753B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 孔春龙;杨旭阳;陈亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | B01D71/70 | 分类号： | B01D71/70;B01D67/00;B01D53/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CO2优先渗透的有机‑无机杂化SiO2膜，由上下两层膜构成，下层膜是有机硅材料和酸性催化剂按照摩尔比0.051～0.151混合后在室温条件下反应生成的前驱体溶胶经涂覆、烧结干燥而制得，上层膜是有机硅材料和酸性催化剂按照摩尔比51～151混合后在室温条件下反应生成的前驱体溶胶经涂覆、烧结干燥而制得。与现有技术相比，该有机‑无机杂化SiO2膜不仅具有良好的水热稳定性和耐腐蚀性，而且对CO2具有优良的渗透通量和分离选择性，在CO2捕获、天然气净化等工业领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 co sub 优先 渗透 有机 无机 sio 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CO2优先渗透的有机‑无机杂化SiO2膜，其特征在于：由上下两层膜构成；下层膜是有机硅材料和酸性催化剂按照摩尔比0.05:1～0.15:1混合后在室温条件下反应生成的前驱体溶胶经涂覆、烧结干燥而制得；上层膜是有机硅材料和酸性催化剂按照摩尔比5:1～15:1混合后在室温条件下反应生成的前驱体溶胶经涂覆、烧结干燥而制得；所述有机‑无机杂化SiO2膜的CO2/CH4的分离系数大于15。
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