[发明专利]一种IGBT栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201510546385.6 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105070748B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 文高;杨鑫著;朱利恒;肖强;蒋明明 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层；去除所述保护层。利用上述方法，能够对栅极的上表面和侧面的二氧化硅层形成有效保护而不会产生损耗，可见，该方法能够使栅极侧墙的厚度不会有损耗，以防止栅极漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT栅极的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层；去除所述保护层；所述在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层包括：在所述栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂光刻胶，并进行显影，显影后剩余的光刻胶覆盖所述栅极外周部的所述二氧化硅层；所述在所述栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂光刻胶为：在栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂宽度范围为0.2微米至0.6微米的光刻胶；所述去除不被所述保护层覆盖的部分的所述二氧化硅层为：刻蚀掉不被所述光刻胶覆盖的部分的所述二氧化硅层；所述去除所述保护层为：去除所述剩余的光刻胶；所述在衬底上制作栅极为：在衬底上制作多晶硅栅极；所述在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层为：利用热氧氧化工艺、湿氧氧化工艺或沉积工艺在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层。
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