[发明专利]一种IGBT栅极的制作方法

说明书

本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层；去除所述保护层。利用上述方法，能够对栅极的上表面和侧面的二氧化硅层形成有效保护而不会产生损耗，可见，该方法能够使栅极侧墙的厚度不会有损耗，以防止栅极漏电。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种IGBT栅极的制作方法。

背景技术

现有技术中的IGBT的平面栅的制作过程如图1、图2和图3所示，如图1所示，图1为现有技术中的制作方法中第一步形成的IGBT平面栅的示意图，首先制作栅氧层1，然后在栅氧层1上制作多晶硅栅2，再在多晶硅栅2上制作第一氧化层3；如图2所示，图2为现有技术中的制作方法中第二步形成的IGBT平面栅的示意图，对图1得到的结构利用高温炉管进行氧化推进，在栅极表面形成第二氧化层4；再进行整面的刻蚀，刻蚀掉发射极上的第二氧化层4之后，如图3所示，图3为现有技术中的制作方法中第三步形成的IGBT平面栅的示意图，在多晶硅栅2的侧面形成具有保护作用的侧墙5，防止漏电。

但是，上述方法存在一个明显的缺点：在整面刻蚀过程中，由于等离子刻蚀是非等向性刻蚀，在垂直刻蚀的同时也存在横向刻蚀，从而会减小多晶硅栅极的侧墙厚度，影响栅极漏电流的大小。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种IGBT栅极的制作方法，能够使侧墙厚度不会有损耗，以防止栅极漏电。

本发明提供的一种IGBT栅极的制作方法，包括：

在衬底上制作栅极；

在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；

在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；

去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层；

去除所述保护层。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层包括：

在所述栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂光刻胶，并进行显影，显影后剩余的光刻胶覆盖所述栅极外周部的所述二氧化硅层。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述在所述栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂光刻胶为：在栅极的外周部和所述衬底表面的所述二氧化硅层的表面涂宽度范围为0.2微米至0.6微米的光刻胶。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述去除不被所述保护层覆盖的部分的所述二氧化硅层为：刻蚀掉不被所述光刻胶覆盖的部分的所述二氧化硅层。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述去除所述保护层为：去除所述剩余的光刻胶。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述在衬底上制作栅极为：在衬底上制作多晶硅栅极。

优选的，在上述IGBT栅极的制作方法中，所述在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层为：利用热氧氧化工艺、湿氧氧化工艺或沉积工艺在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层。

通过上述描述可知，本发明提供的一种IGBT栅极的制作方法，由于在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面，然后去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层，再去除所述保护层，这样就能够对栅极的上表面和侧面的二氧化硅层形成有效保护而不会产生损耗，可见，该方法能够使侧墙的厚度不会有损耗，以防止栅极漏电。