[发明专利]一种消除寄生电容的光波导探测器

摘要

本发明公开了一种消除寄生电容的光波导探测器，还包括波导层二、绝缘层二和n电极，波导层二为中间镂空的矩形体，波导层二的一边与波导层一和绝缘层一接触，绝缘层二为中间镂空的矩形体，绝缘层二的底部与波导层二接触，绝缘层二的四壁与波导层二的内壁接触，n电极放置在绝缘层二的中心，底部与波导层二接触。本发明的有益效果将n电极移动到后部平台后，n电极与衬底之间不再接触，同时衬底也不需要重掺杂来提高导电性能，从而p电极与衬底之间不再产生寄生电容，使得总电容降低，从而提高光波导探测器的响应带宽。

主权项

一种消除寄生电容的光波导探测器，包括衬底(1)、绝缘层一(2)、p电极(3)、覆盖层(4)、吸收层(5)和波导层一(6)，绝缘层一(2)放置在衬底(1)上，波导层一(6)的一边与绝缘层一(2)的一边接触，同时放置在衬底(1)上，吸收层(5)放置在波导层一(6)上，吸收层(5)的一边与绝缘层一(2)的一边接触，覆盖层(4)放置在吸收层(5)上，覆盖层(4)一边与绝缘层一(2)一边接触，同时覆盖层(4)与绝缘层一(2)的顶部高度一致，p电极(3)放置在覆盖层(4)和绝缘层一(2)的顶上；其特征在于：还包括波导层二(7)、绝缘层二(8)和n电极(9)，波导层二(7)为中间镂空的矩形体，波导层二(7)的一边与波导层一(6)和绝缘层一(2)接触，绝缘层二(8)为中间镂空的矩形体，绝缘层二(8)的底部与波导层二(7)接触，绝缘层二(8)的四壁与波导层二(7)的内壁接触，n电极(9)放置在绝缘层二(8)的中心，底部与波导层二(7)接触。