[发明专利]一种消除寄生电容的光波导探测器

权利要求书

1.一种消除寄生电容的光波导探测器，包括衬底(1)、绝缘层一(2)、p电极(3)、覆盖层(4)、吸收层(5)和波导层一(6)，绝缘层一(2)放置在衬底(1)上，波导层一(6)的一边与绝缘层一(2)的一边接触，同时放置在衬底(1)上，吸收层(5)放置在波导层一(6)上，吸收层(5)的一边与绝缘层一(2)的一边接触，覆盖层(4)放置在吸收层(5)上，覆盖层(4)一边与绝缘层一(2)一边接触，同时覆盖层(4)与绝缘层一(2)的顶部高度一致，p电极(3)放置在覆盖层(4)和绝缘层一(2)的顶上；其特征在于：还包括波导层二(7)、绝缘层二(8)和n电极(9)，波导层二(7)为中间镂空的矩形体，波导层二(7)的一边与波导层一(6)和绝缘层一(2)接触，绝缘层二(8)为中间镂空的矩形体，绝缘层二(8)的底部与波导层二(7)接触，绝缘层二(8)的四壁与波导层二(7)的内壁接触，n电极(9)放置在绝缘层二(8)的中心，底部与波导层二(7)接触。

2.如权利要求1所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述波导层二(7)的镂空区域深度为1.5～2μm。

3.如权利要求2所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述p电极(3)长宽同为500μm。

4.如权利要求3所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述覆盖层(4)的厚度为0.8μm。

5.如权利要求4所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述波导层一(6)的厚度为3μm。

6.如权利要求5所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述吸收层(5)的厚度为0.1μm。

7.如权利要求6所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述衬底(1)的厚度为150μm。

8.如权利要求7所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述波导层一(6)的长度为500μm。

9.如权利要求8所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述波导层一(6)和波导层二(7)的波导脊宽为3μm。

10.如权利要求9所述的消除寄生电容的光波导探测器，其特征在于：所述n电极(9)为矩形体结构。