[发明专利]一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法

摘要

本发明提供一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，属于太阳能光伏技术领域。本发明含以下步骤：(1)单晶硅清洗、去损伤层、制绒；(2)单晶硅正面钝化层形成、抗反射层镀膜；(3)单晶硅背面钝化层镀膜；(4)采用掩模技术在单晶硅背面镀膜形成P型非晶硅图案；(5)采用掩模技术在单晶硅背面镀膜形成N型非晶硅图案；(5)采用掩模技术在背面镀膜形成保护膜图案；(6)采用化学镀+电镀技术在背面形成发射极和基极的接触电极。本发明的工艺路线无论对于P/N节的镀膜和定位，还是对于背电极的制作，都具有工艺流程简单、制作成本低的特点。适合于规模化量产背接触异质结单晶硅太阳能电池。

主权项

一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤：1)单晶硅清洗、去损伤层、制绒；2)单晶硅正面钝化层的形成及正面抗反射层镀膜；3)单晶硅背面钝化层镀膜；4)采用掩模技术在背面镀膜形成P型非晶硅图案；5)采用掩模技术在背面镀膜形成N型非晶硅图案；6)采用掩模技术在背面镀膜形成保护膜图案；7)采用电镀技术在背面形成发射极和基极的接触电极。