[发明专利]一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)单晶硅清洗、去损伤层、制绒；

2)单晶硅正面钝化层的形成及正面抗反射层镀膜；

3)单晶硅背面钝化层镀膜；

4)采用掩模技术在背面镀膜形成P型非晶硅图案；

5)采用掩模技术在背面镀膜形成N型非晶硅图案；

6)采用掩模技术在背面镀膜形成保护膜图案；

7)采用电镀技术在背面形成发射极和基极的接触电极。

2.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的单晶硅基体为N型单晶硅片或P型单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(2)中所述的单晶硅正面钝化层为：氧化物、氮化物、非晶硅、采用离子注入方法形成的正面电场层、采用扩散方法形成的正面电场层或上述几种材料的组合；步骤(2)中所述的抗反射层为：氧化物、氮化物、TCO或上述几种材料的组合。

4.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(3)中所述的背面钝化层为以下一种或几种薄膜材料的组合：氧化物、氮化物、非晶硅或非晶硅合金。

5.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(4)中所述的掩模由金属或非金属材料制成；掩模的图案设计基于所需的P型非晶硅镀膜图案要求，硅片上的镀膜仅在掩模开口区域形成；P型非晶硅薄膜由PECVD或热丝辅助CVD镀膜形成。

6.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(5)中所述的掩模由金属或非金属材料制成；掩模的图案设计基于所需的N型非晶硅镀膜图案要求，硅片上的镀膜仅在掩模开口区域形成；N型非晶硅薄膜由PECVD或热丝辅助CVD镀膜形成。

7.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：所述步骤(4)和(5)中掩模在硅片上的位置是互补的，所述的掩模有一定交叠区域，交叠区域大小为0～2mm；P型非晶硅和N型非晶硅薄膜之间会形成一个物理间隔，在物理间隔区域没有P型或N型非晶硅薄膜形成，该物理间隔的宽度e为0.05～2mm。

8.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(6)中所述的掩模由金属或非金属材料制成，掩模的图案设计基于所需的保护膜图案要求，硅片上的镀膜仅在掩模开口区域形成，掩模开口置于P型和N型非晶硅区域之间，开口尺寸为0.1～3mm；

步骤(6)中所述的保护膜为以下一种或几种材料的组合：氧化物、或氮化物，保护膜薄膜由PECVD、热丝辅助CVD、PVD、IBD或其它镀膜技术形成。

9.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(7)中所述的电镀技术既包括电极电镀也包括不需要电极的化学镀。

10.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤(2)可在步骤(3)、步骤(4)、步骤(5)、步骤(6)或步骤(7)之前或之后进行；步骤(4)、(5)(6)的次序可以互相交换。

11.根据权利要求1所述的制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于该背接触异质结单晶硅太阳能电池包括：单晶硅基体，正面钝化层，正面抗反射层，背面钝化层，背面基极，背面基极接触电极，背面发射极，背面发射极接触电极，背面保护膜；

正面钝化层和正面抗反射层依次沉积在单晶硅基体的正面，在单晶硅基体的背面先沉积背面钝化层；在背面钝化层表面交替生长背面基极和背面发射极，以及背面保护膜；在背面基极表面生长背面基极接触电极，在背面发射极表面生长背面发射极接触电极；背面保护膜层位于两相邻接触电极之间并覆盖底部区域，包括发射极与基极之间的开口区域。