[发明专利]一种无死区电压的MOS管电源开关电路

摘要

本发明公开了一种无死区电压的MOS管电源开关电路，该电路包括转换模块，用于将接收到的高速数字信号的高电平转换为正电压，将高速数字信号的低电平转换为负电压；电压调整模块，基于所述正电压或负电压，调整开关模块的电压值；开关模块，基于电压调整模块调整的电压值，控制正电源或负电源的通断。本发明所述技术方案克服了现有继电器电源开关触点寿命有限，以及电源电压存在无法控制通断的死区电压的不足。本发明所述技术方案结构简单可靠、集成度高、体积小、寿命长。

主权项

1.一种无死区电压的MOS管电源开关电路，其特征在于，该电路包括转换模块，用于将接收到的高速数字信号的高电平转换为正电压，将高速数字信号的低电平转换为负电压；电压调整模块，基于所述正电压或负电压，调整开关模块的电压值；开关模块，基于电压调整模块调整的电压值，控制正电源或负电源的通断输出，其工作电压为正电压PV，负电压NV；所述电压调整模块包括第一电阻R1、第二电阻R2和NPN型晶体管Q1；所述第一电阻R1的一端与所述转换模块电连接，所述第一电阻R1的另一端与NPN型晶体管Q1的基极连接，所述NPN型晶体管Q1的发射极与转换模块的工作负电压NV电连接，所述第二电阻R2的一端连接在第一电阻R1和NPN型晶体管Q1的基极之间，所述第二电阻R2的另一端与转换模块的工作负电压NV电连接；所述开关模块包括第三电阻R3、第四电阻R4和P沟型MOS管Q2；所述第三电阻R3和第四电阻R4依次连接在正电源输入Vi和NPN型晶体管Q1的集电极之间，所述P沟型MOS管的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间，所述P沟型MOS管的源极与正电源输入Vi连接，所述P沟型MOS管的漏极与电源输出Vo连接；所述调整开关模块的电压值为调整P沟型MOS管的栅极‑源极电压Vgs；或者所述电压调整模块包括第一电阻R1、第二电阻R2和PNP型晶体管Q1；所述第一电阻R1的一端与所述转换模块电连接，所述第一电阻R1的另一端与PNP型晶体管Q1的基极连接，所述PNP型晶体管Q1的发射极与转换模块的工作正电压PV电连接，所述第二电阻R2的一端连接在第一电阻R1和PNP型晶体管Q1的基极之间，所述第二电阻R2的另一端与转换模块的工作正电压PV电连接；所述开关模块包括第三电阻R3、第四电阻R4和N沟型MOS管Q2；所述第三电阻R3和第四电阻R4依次连接在负电源输入‑Vi和PNP型晶体管Q1的集电极之间，所述N沟型MOS管的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间，所述N沟型MOS管的源极与负电源输入‑Vi连接，所述N沟型MOS管的漏极与电源输出Vo连接；所述调整开关模块的电压值为调整N沟型MOS管的栅极‑源极电压Vgs。