[发明专利]一种无死区电压的MOS管电源开关电路有效

专利信息
申请号: 201510534399.6 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105162328B 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 陈文源;陆跟成 申请(专利权)人: 苏州华兴源创电子科技有限公司
主分类号: H02M3/157 分类号: H02M3/157
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张文祎
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 死区 电压 mos 电源开关 电路
【说明书】:

发明公开了一种无死区电压的MOS管电源开关电路,该电路包括转换模块,用于将接收到的高速数字信号的高电平转换为正电压,将高速数字信号的低电平转换为负电压;电压调整模块,基于所述正电压或负电压,调整开关模块的电压值;开关模块,基于电压调整模块调整的电压值,控制正电源或负电源的通断。本发明所述技术方案克服了现有继电器电源开关触点寿命有限,以及电源电压存在无法控制通断的死区电压的不足。本发明所述技术方案结构简单可靠、集成度高、体积小、寿命长。

技术领域

本发明涉及开关电路,特别是涉及一种无死区电压的MOS管电源开关电路。

背景技术

液晶屏检测设备,通常会输出多路电源,每路电源幅值独立连续可调,电流最大可达几安培。在启动和关闭液晶屏显示时,各个电源,必须严格按照规格书的时序要求,以毫秒为时间单位,依次进行上电和断电,否则很可能会造成被测液晶屏损坏。现有技术,通常采用继电器来实现对各路电源的开关控制,回路简单。但生产线上一个检测工位,一天要检测几千片液晶屏,相当于继电器执行几千次开关动作,对继电器的触点寿命,很有影响,需要定期拆开检测设备,对内部的继电器进行更换。

针对继电器触点寿命受限问题,有人作了一定的改进,采用绝缘栅型场效应管(MOS)进行电源开关控制,如图1所示。但此回路,存在一定的不足:MOS管的Vgs电压值等于输入电源Vi,因此,电源输入Vi既要小于MOS管栅极-源极最大允许电压,否则MOS管损坏;同时,电源输入Vi还必须大于MOS管最小开启电压Vth,否则MOS管无法导通,即电源输入Vi存在一定的死区电压,电源输入Vi在此范围时,图1回路无法实现对电源输入Vi的开关控制。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种无死区电压的MOS管电源开关电路,以克服现有继电器电源开关触点寿命有限,而现有MOS管开关控制电路,电源电压存在无法控制的死区电压之不足。提供一种消除死区电压的MOS管电源开关电路,此电路结构简单可靠、集成度高、寿命长。

为解决上述技术问题,本发明采用下述技术方案

一种无死区电压的MOS管电源开关电路,该电路包括

转换模块,用于将接收到的高速数字信号的高电平转换为正电压,将高速数字信号的低电平转换为负电压;

电压调整模块,基于所述正电压或负电压,调整开关模块的电压值;

开关模块,基于电压调整模块调整的电压值,控制正电源或负电源的通断输出,其工作电压为正电压PV,负电压NV。

优选的,所述转换模块为高速宽电压电平转换芯片U1。

优选的,所述电压调整模块包括第一电阻R1、第二电阻R2和NPN型晶体管Q1;

所述第一电阻R1的一端与所述转换模块电连接,所述第一电阻R1的另一端与NPN型晶体管Q1的基极连接,所述NPN型晶体管Q1的发射极与转换模块的工作负电压NV电连接,所述第二电阻R2的一端连接在第一电阻R1和NPN型晶体管Q1的基极之间,所述第二电阻R2的另一端与转换模块的工作负电压NV电连接。

优选的,所述电压调整模块包括第一电阻R1、第二电阻R2和PNP型晶体管Q1;

所述第一电阻R1的一端与所述转换模块电连接,所述第一电阻R1的另一端与PNP型晶体管Q1的基极连接,所述PNP型晶体管Q1的发射极与转换模块的工作正电压PV电连接,所述第二电阻R2的一端连接在第一电阻R1和PNP型晶体管Q1的基极之间,所述第二电阻R2的另一端与转换模块的工作正电压PV电连接。

优选的,所述开关模块包括第三电阻R3、第四电阻R4和P沟型MOS管Q2;

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