[发明专利]一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法

摘要

本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，首先，通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；垂直移动半导体器件，调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面，使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像，然后记录两个位置的高度h₂和高度h₁；最后，利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h₁-h₂。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理，测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处，得出聚焦光束定位距离ΔZ，从而计算得到被测材料的厚度h，无需增加膜厚测量设备，即可实现材料厚度的现场原位测量，降低了测量成本。

主权项

一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，其特征在于，包括：步骤1)通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；步骤2)垂直移动半导体器件，以调节激光的聚焦平面移至半导体器件的上表面，使得其上表面产生的反射光通过CCD相机接收后形成清晰的光斑成像，然后记录半导体器件的高度h₂；步骤3)继续垂直移动半导体器件，以调节激光的聚焦平面移至半导体器件的下表面，使得其下表面产生的反射光通过CCD相机接收后形成清晰的光斑成像，然后记录半导体器件的高度h₁；步骤4)利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，其中n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h₁‑h₂。