[发明专利]一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法在审
| 申请号： | 201510523492.7 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105136049A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨;杨青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 材料 厚度 光学 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，其特征在于，包括：
步骤1)通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；
步骤2)垂直移动半导体器件，以调节激光的聚焦平面移至半导体器件的上表面，使得其上表面产生的反射光通过CCD相机接收后形成清晰的光斑成像，然后记录半导体器件的高度h2；
步骤3)继续垂直移动半导体器件，以调节激光的聚焦平面移至半导体器件的下表面，使得其下表面产生的反射光通过CCD相机接收后形成清晰的光斑成像，然后记录半导体器件的高度h1；
步骤4)利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，其中n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h1-h2。
2.根据权利要求1所述的用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，其特征在于，所述聚焦的激光可采用聚焦激光微束。
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