[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法。该薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层；B、利用紫外光照射非晶硅层，以使非晶硅层中的硅‑氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过紫外光照射后的非晶硅层进行加热，以使非晶硅层中的氢从非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；F、在多晶硅层上和/或缓冲层上设置显示器件。本发明能有效降低薄膜晶体管阵列基板的制造成本和制造时间，提高薄膜晶体管阵列基板的制造效率。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层，其中，所述缓冲层位于所述基板上，所述非晶硅层位于所述缓冲层上，所述非晶硅层是由非晶硅材料形成的材料层；B、利用紫外光照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层中的硅‑氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅层进行加热，以使所述非晶硅层中的氢从所述非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的所述非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的所述非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；以及F、在所述多晶硅层上和/或所述缓冲层上设置显示器件，以形成薄膜晶体管阵列基板，其中，所述显示器件至少包括信号线、像素电极；所述第二预定时间处于1分钟至20分钟的范围内；经过所述红外线光照射后的所述非晶硅层的温度处于预定温度范围内，所述预定温度范围为300摄氏度至400摄氏度。