[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法有效
| 申请号： | 201510521942.9 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105140180B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 唐丽娟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 多晶 材料 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层，其中，所述缓冲层位于所述基板上，所述非晶硅层位于所述缓冲层上，所述非晶硅层是由非晶硅材料形成的材料层；
B、利用紫外光照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；
C、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅层进行加热，以使所述非晶硅层中的氢从所述非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；
D、对经过加热后的所述非晶硅层进行清洗；
E、利用激光将清洗后的所述非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；以及
F、在所述多晶硅层上和/或所述缓冲层上设置显示器件，以形成薄膜晶体管阵列基板，其中，所述显示器件至少包括信号线、像素电极；
所述第二预定时间处于1分钟至20分钟的范围内；
经过所述红外线光照射后的所述非晶硅层的温度处于预定温度范围内，所述预定温度范围为300摄氏度至400摄氏度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一预定时间处于20秒至300秒的范围内。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，经过加热后的所述非晶硅层中的氢含量小于或等于1.0％。
4.一种多晶硅材料的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、利用紫外光照射非晶硅材料，以使所述非晶硅材料中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；
B、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅材料进行加热，以使所述非晶硅材料中的氢从所述非晶硅材料中脱离，加热时间为第二预定时间；
C、对经过加热后的所述非晶硅材料进行清洗；以及
D、利用激光将清洗后的所述非晶硅材料进行退火结晶处理，以形成多晶硅材料；
所述第二预定时间处于1分钟至20分钟的范围内；
经过所述红外线光照射后的所述非晶硅层的温度处于预定温度范围内，所述预定温度范围为300摄氏度至400摄氏度。
5.根据权利要求4所述的多晶硅材料的制作方法，其特征在于，所述第一预定时间处于20秒至300秒的范围内。
6.根据权利要求4所述的多晶硅材料的制作方法，其特征在于，经过加热后的所述非晶硅层中的氢含量小于或等于1.0％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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