[发明专利]一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法在审
申请号: | 201510513097.0 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105097553A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 杨育鑫;张志榜;陈发祥;李泓纬;杨净斐 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/26 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法。该软性显示器包括一基板、位于基板上的绝缘层以及位于绝缘层上方的一缓冲层。该制造方法包括:形成第一金属氧化层于缓冲层的上方;对第一金属氧化层进行高温热退火处理,使其吸收缓冲层中的大量氢原子;移除已吸收了氢原子的第一金属氧化层;以及形成一薄膜晶体管于缓冲层的上方。相比于现有技术,本发明设置一金属氧化层于缓冲层的上方,该金属氧化层在高温热退火处理之后能够吸收缓冲层内残留的大量氢原子并随后被移除,可避免因缓冲层的氢含量过高导致组件偏导体,进而改善组件的电特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 软性 显示器 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,该软性显示器包括一基板、位于基板上的一绝缘层以及位于绝缘层上方的一缓冲层,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:形成一第一金属氧化层于所述缓冲层的上方;对所述第一金属氧化层进行高温热退火处理,使所述第一金属氧化层吸收所述缓冲层中的大量氢原子;移除已吸收所述氢原子的所述第一金属氧化层;以及形成一薄膜晶体管于所述缓冲层的上方。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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