[发明专利]一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法在审
申请号: | 201510513097.0 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN105097553A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 杨育鑫;张志榜;陈发祥;李泓纬;杨净斐 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/26 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 软性 显示器 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
1.一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,该软性显示器包括一基板、位于基板上的一绝缘层以及位于绝缘层上方的一缓冲层,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
形成一第一金属氧化层于所述缓冲层的上方;
对所述第一金属氧化层进行高温热退火处理,使所述第一金属氧化层吸收所述缓冲层中的大量氢原子;
移除已吸收所述氢原子的所述第一金属氧化层;以及
形成一薄膜晶体管于所述缓冲层的上方。
2.根据权利要求1所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,上述形成所述薄膜晶体管的步骤还包括:
形成一第二金属氧化层于所述缓冲层的上方;
形成一栅极绝缘层于所述第二金属氧化层的上方;
形成一栅电极于所述栅极绝缘层的上方;
形成一层间介电层以覆盖所述第二金属氧化层与所述栅电极;以及
形成一源电极和一漏电极,所述源电极和所述漏电极经由过孔与所述第二金属氧化层相接触。
3.根据权利要求1所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,上述移除步骤之后,所述制造方法还包括:
采用傅氏转换红外光谱分析仪检测所述缓冲层中的氢原子含量。
4.根据权利要求1所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述缓冲层的材质为氧化硅或氮化硅。
5.根据权利要求1所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一金属氧化层的材质为铟镓锌氧化物。
6.一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,该软性显示器包括一基板、位于基板上的一绝缘层以及位于绝缘层上方的一第一缓冲层,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
形成一第一金属氧化层于所述第一缓冲层的上方,所述第一金属氧化层具有高含量的氧原子;
形成一第二缓冲层于所述第一金属氧化层的上方;
对所述第一金属氧化层进行高温热退火处理,使所述第一金属氧化层吸收所述缓冲层中的大量氢原子;以及
形成一薄膜晶体管于所述第二缓冲层的上方。
7.根据权利要求6所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,上述形成所述薄膜晶体管的步骤还包括:
形成一第二金属氧化层于所述第二缓冲层的上方;
形成一栅极绝缘层于所述第二金属氧化层的上方;
形成一栅电极于所述栅极绝缘层的上方;
形成一层间介电层以覆盖所述第二金属氧化层与所述栅电极;以及
形成一源电极和一漏电极,所述源电极和所述漏电极经由过孔与所述第二金属氧化层相接触。
8.根据权利要求6所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一缓冲层为氮化硅材质,所述第二缓冲层为氧化硅材质。
9.一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,该软性显示器包括一基板、位于基板上的一绝缘层以及位于绝缘层上方的一缓冲层,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
形成一第一金属氧化层于所述缓冲层的上方,所述第一金属氧化层具有高含量的氧原子;
形成一第二金属氧化层于所述第一金属氧化层的上方;
对所述第一金属氧化层进行高温热退火处理,使所述第一金属氧化层吸收所述缓冲层中的大量氢原子;以及
形成一薄膜晶体管于所述第二金属氧化层的上方。
10.根据权利要求9所述的用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一金属氧化层的电阻值高于所述第二金属氧化层的电阻值。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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