[发明专利]一种高效缓冲器在审
| 申请号: | 201510510953.7 | 申请日: | 2015-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN105187048A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
| 发明(设计)人: | 李文冠;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
| 地址: | 510663 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种高效缓冲器,本发明缓冲器通过NMOS管和PMOS管的栅极输入实现高输入阻抗、通过NMOS管和PMOS管的漏极互补推挽输出实现低输出阻抗和大电流驱动能力,从而能够高效地驱动重负载,同时实现大摆幅电压信号缓冲;互补NMOS管和PMOS的电流共享避免了源极跟随缓冲器需要大偏置电流源的情况,实现低功耗、高效率;此外,缓冲器输入输出关系仅由MOS管的物理大小参数的比例关系确定,可避免源极跟随缓冲器的电平差,并且根据实际需要灵活实现输入输出电平关系,实现起来精准、信号失真小。本发明作为一种高效缓冲器可广泛应用于电子电路领域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高效 缓冲器 | ||
【主权项】:
一种高效缓冲器,其特征在于:包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接作为缓冲器的输入端,所述第一PMOS管的源极连接电源,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接作为缓冲器的输出端,所述第二PMOS管的源极连接电源,所述第二NMOS管的源极接地。
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