[发明专利]一种高效缓冲器在审
| 申请号： | 201510510953.7 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105187048A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李文冠;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 缓冲器 | ||
1.一种高效缓冲器，其特征在于：包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接作为缓冲器的输入端，所述第一PMOS管的源极连接电源，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接作为缓冲器的输出端，所述第二PMOS管的源极连接电源，所述第二NMOS管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的一种高效缓冲器，其特征在于：所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比分别为Wp1/Lp1、Wp2/Lp2、Wn1/Ln1和Wn2/Ln2，其中Wn1/Ln1=N*（Wn2/Ln2）、Wp1/Lp1=N*（Wp2/Lp2），N的值为1。
3.根据权利要求1所述的一种高效缓冲器，其特征在于：所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比分别为Wp1/Lp1、Wp2/Lp2、Wn1/Ln1和Wn2/Ln2，其中Wn1/Ln1=N*（Wn2/Ln2）、Wp1/Lp1=N*（Wp2/Lp2），N的值大于1。
4.根据权利要求1所述的一种高效缓冲器，其特征在于：所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比分别为Wp1/Lp1、Wp2/Lp2、Wn1/Ln1和Wn2/Ln2，其中Wn1/Ln1=N*（Wn2/Ln2）、Wp1/Lp1=N*（Wp2/Lp2），N的值小于1。
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