[发明专利]屏蔽栅晶体管形成方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅晶体管形成方法,包含：第1步，在硅衬底上进行干法刻蚀形成沟槽，然后形成一层氧化硅、形成一层氮化硅；第2步，沟槽内淀积屏蔽栅多晶硅，并进行回刻至与硅表面保持齐平；第3步，对表面的氮化硅进行刻蚀；第4步，进行氧化硅的第一次刻蚀；第5步，对氮化硅进行湿法刻蚀；第6步，进行氧化硅的第二次刻蚀；第7步，热氧化形成牺牲氧化层，然后将牺牲氧化层刻蚀去除；第8步，形成栅氧化层，同时在屏蔽栅多晶硅上形成氧化硅；第9步，淀积多晶硅，并进行回刻至与硅衬底表面齐平，形成多晶硅栅极。本发明工艺方法改善了传统工艺多晶硅栅极底部存在尖角导致栅极与屏蔽栅之间产生较高漏电的问题，提高了器件可靠性。

主权项

1.一种屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：基于屏蔽栅深沟槽MOSFET结构，控制栅位于屏蔽栅的两侧，控制栅底部形貌平整，屏蔽栅与控制栅之间使用氮化硅进行隔离；包含如下工艺步骤：第1步，在硅衬底上进行刻蚀形成沟槽，并热氧化形成一层氧化硅、通过淀积形成一层氮化硅；第2步，沟槽内淀积屏蔽栅多晶硅，并进行回刻；第3步，对表面的氮化硅进行刻蚀；第4步，进行氧化硅的第一次刻蚀至硅表面；第5步，对氮化硅进行湿法刻蚀，将突出的氮化硅刻蚀掉，使氮化硅层与氧化硅层表面持平；第6步，进行氧化硅的第二次刻蚀至沟槽内部：采用湿法刻蚀，沟槽内从硅表面向下，刻蚀形成的沟槽内氧化硅表面保持平整；第7步，热氧化形成牺牲氧化层，然后将牺牲氧化层通过刻蚀去除第8步，形成栅氧化层，同时在屏蔽栅多晶硅上形成氧化硅；第9步，淀积多晶硅，并进行干法回刻至与硅衬底表面齐平，形成多晶硅栅极。