[发明专利]屏蔽栅晶体管形成方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：

基于屏蔽栅深沟槽MOSFET结构，控制栅位于屏蔽栅的两侧，控制栅底部形貌平整，屏蔽栅与控制栅之间使用氮化硅进行隔离；

包含如下工艺步骤：

第1步，在硅衬底上进行刻蚀形成沟槽，并热氧化形成一层氧化硅、通过淀积形成一层氮化硅；

第2步，沟槽内淀积屏蔽栅多晶硅，并进行回刻；

第3步，对表面的氮化硅进行刻蚀；

第4步，进行氧化硅的第一次刻蚀至硅表面；

第5步，对氮化硅进行湿法刻蚀，将突出的氮化硅刻蚀掉，使氮化硅层与氧化硅层表面持平；

第6步，进行氧化硅的第二次刻蚀至沟槽内部：采用湿法刻蚀，沟槽内从硅表面向下，刻蚀形成的沟槽内氧化硅表面保持平整；

第7步，热氧化形成牺牲氧化层，然后将牺牲氧化层通过刻蚀去除

第8步，形成栅氧化层，同时在屏蔽栅多晶硅上形成氧化硅；

第9步，淀积多晶硅，并进行干法回刻至与硅衬底表面齐平，形成多晶硅栅极。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第1步中，氧化硅的厚度为3000～5000Å，所述氮化硅的厚度为800～1500Å。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第2步，回刻采用干法刻蚀，回刻多晶硅至与硅表面保持齐平。

4.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第3步，采用干法刻蚀，将表面的氮化硅刻蚀干净，保留侧壁氮化硅。

5.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第4步，采用湿法刻蚀，刻蚀氧化硅至衬底表面保留200～300Å。

6.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第7步，牺牲氧化层通过湿法刻蚀去除。

7.如权利要求1所述的屏蔽栅晶体管形成方法，其特征在于：所述第8步，栅氧化层的厚度为450～800Å；屏蔽栅多晶硅上形成的氧化硅厚度与栅氧化层相同。