[发明专利]非易失性半导体存储装置及其控制方法

摘要

本发明提供非易失性半导体存储装置及其控制方法。该非易失性半导体存储装置具有存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括：构成为能够保持多个阈值电压分布的多个存储器单元；和共同连接于多个存储器单元的栅的多条字线。控制电路在执行了对存储器单元施加至少一部分为负的阈值电压分布从而删除存储器单元的数据的删除工作后，执行对存储器单元施加正的多种阈值电压分布中的最低的阈值电压分布的多次第一写入工作。控制电路，在多次第一写入工作的执行时、从控制器接受执行除了删除工作和第一写入工作以外的其他的工作的第一执行指令的情况下，在多次第一写入工作之间执行其他的工作。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储器单元阵列，其包括：构成为能够保持多个阈值电压分布的多个存储器单元及共同连接于多个所述存储器单元的栅的多条字线；和控制电路，其执行对具有负的阈值电压的所述存储器单元施加正的多种阈值电压分布中最低的阈值电压分布中的阈值电压的写入工作，所述存储器单元阵列具备：半导体基板；相对于所述半导体基板延伸于垂直方向，作为所述存储器单元的主体发挥作用的第一半导体层；设置于所述第一半导体层的侧面，蓄积电荷的电荷蓄积层；和设置为与所述第一半导体层一起夹着所述电荷蓄积层，作为所述存储器单元的栅及所述字线发挥作用的第一导电层，所述控制电路，从控制器接受了使写入工作执行的第一执行指令之后，向所述字线执行所述写入工作，在所述写入工作的执行时从所述控制器接受了中断指令的情况下，中断所述写入工作，并在所述中断后从所述控制器接受了再次开始指令的情况下，再次开始所述写入工作，所述控制电路，在所述中断后且所述再次开始前从所述控制器接受了状态指令的情况下，向所述控制器发送表示所述写入工作通过或失败的写入通过/失败信息及表示所述写入工作是否中断的信息。