[发明专利]一种可见光响应的氮化物光催化材料及制备方法在审
| 申请号： | 201510483016.7 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105056984A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈伟华;韩帅斌;丁竑瑞;李艳;鲁安怀;胡晓东;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可见光响应的氮化物光催化材料及其制备方法。采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长多层PIN异质结构GaN基外延薄膜，以InGaN/GaN多量子阱或超晶格作为光吸收层，然后将GaN基外延薄膜转移到导电基底上，并剥离蓝宝石衬底，得到所述光催化材料。采用InGaN/GaN多量子阱或超晶格作为光吸收层，克服了MOCVD生长厚层InGaN的困难；掺入In组分使光催化材料具有可见光响应性；PIN异质结构的内建电场可以使光生载流子有效分离，具有高的光电转换效率，大大提高了材料的催化活性。该光催化材料在可见光光照下对甲基橙等偶氮染料表现出优异的降解活性，可用作降解有机污染物的光电化学池的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可见光 响应 氮化物 光催化 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可见光响应的氮化物光催化材料，该材料结构为导电基底上的氮化物PIN异质结构薄膜，其中以InGaN/GaN多量子阱或超晶格作为光吸收层。
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