[发明专利]一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层和薄膜窗口，在硅基片两面都长有绝缘层；芯片正面绝缘层上长有金属薄膜或器件，或者半导体功能薄膜或器件，可对样品施加各类物理、化学作用；芯片中央有薄膜窗口，在薄膜窗口区域开有大长宽比透电子束长孔或透电子束长槽，本发明能够在原子尺度分辨率下对透射电镜样品进行原位测量，除了可原位表征纳米线、纳米管样品外，也可实现块体样品、异质结界面样品的原位表征，同时能够实现在聚焦离子束系统内和实验室中用微操作手放置样品，也可以对已转移固定在芯片上的样品使用离子减薄设备进行继续加工。

主权项

一种纳米材料透射电镜原位测试芯片，包括硅基片和绝缘层，其特征在于：还包括薄膜窗口(3)，所述的硅基片两面均设置有绝缘层，所述的绝缘层包括在硅基片上生长的二氧化硅层和在二氧化硅层上生长的氮化硅层，二氧化硅层的厚度为200‑1000nm，氮化硅层的厚度为5‑200nm；且硅基片正面开设有由绝缘层构成的薄膜窗口(3)，薄膜窗口(3)中开有透电子束长孔或透电子束长槽，所述的透电子束长孔或透电子束长槽的宽度为5‑20μm，所述的透电子束长孔或透电子束长槽的长度为100‑400μm；所述的硅基片正面的绝缘层上设置有金属薄膜或器件，或者半导体功能薄膜或器件。