[发明专利]包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置有效

专利信息
申请号: 201510474172.7 申请日: 2015-08-05
公开(公告)号: CN105369222B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 徐祥准;赵成珉;刘址范;郑昊均 申请(专利权)人: 成均馆大学校产学协力团
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/455
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;李献忠
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置,即涉及用于包含多种前体的无机薄膜的制备方法以及制备装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理;并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜,其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行,并且所述源气体包括惰性气体和前体,所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属。
搜索关键词: 包含 多种 无机 薄膜 制备 方法 用于 装置
【主权项】:
1.一种用于无机薄膜的制备方法,所述方法包括:通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理;使所述源气体和反应物气体在所述衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜;并且在100℃或低于100℃的温度下加热所述衬底,其中所述源气体和所述反应物气体的所述等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中同时或交替进行,所述无机薄膜在衬底上与另一个薄膜混合或形成层状结构,所述源气体包括惰性气体和前体,所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属,并且其中所述无机薄膜具有在范围内的厚度且用作包封膜。
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