[发明专利]包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置有效
| 申请号: | 201510474172.7 | 申请日: | 2015-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN105369222B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
| 发明(设计)人: | 徐祥准;赵成珉;刘址范;郑昊均 | 申请(专利权)人: | 成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明涉及包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置,即涉及用于包含多种前体的无机薄膜的制备方法以及制备装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理;并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜,其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行,并且所述源气体包括惰性气体和前体,所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属。 | ||
| 搜索关键词: | 包含 多种 无机 薄膜 制备 方法 用于 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于无机薄膜的制备方法,所述方法包括:通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理;使所述源气体和反应物气体在所述衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜;并且在100℃或低于100℃的温度下加热所述衬底,其中所述源气体和所述反应物气体的所述等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中同时或交替进行,所述无机薄膜在衬底上与另一个薄膜混合或形成层状结构,所述源气体包括惰性气体和前体,所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属,并且其中所述无机薄膜具有在
至
范围内的厚度且用作包封膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





