[发明专利]包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置

权利要求书

1.一种用于无机薄膜的制备方法，所述方法包括：

通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；

使所述源气体和反应物气体在所述衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜；并且

在100℃或低于100℃的温度下加热所述衬底，

其中所述源气体和所述反应物气体的所述等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中同时或交替进行，所述无机薄膜在衬底上与另一个薄膜混合或形成层状结构，

所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属，并且

其中所述无机薄膜具有在至范围内的厚度且用作包封膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，

其中将所述通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理重复一次或更多次。

3.根据权利要求1所述的制备方法，

其中所述惰性气体包括选自由Ar、He、Ne、以及它们的组合组成的群组中的成员。

4.根据权利要求1所述的制备方法，

其中所述反应物气体包括选自由N₂、H₂、O₂、N₂O、NH₃、以及它们的组合组成的群组中的成员。

5.根据权利要求1所述的制备方法，

其中所述形成所述无机薄膜通过使用化学气相沉积法或原子层沉积法来进行。

6.一种用于无机薄膜的制备装置，其包括：

用以装载衬底的衬底装载单元；

连接到所述衬底装载单元并被配置成交替移动所述衬底的衬底输送单元；

在所述衬底输送单元下方提供的并被配置成在100℃或低于100℃的温度下加热所述衬底的衬底加热单元；以及

无机薄膜沉积单元，其用以在所述衬底上形成厚度在至范围内的无机薄膜，

其中所述无机薄膜沉积单元包括多个源等离子体模块以及多个反应物等离子体模块以便源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中同时或交替进行，所述无机薄膜在衬底上与另一个薄膜混合或在衬底上形成层状结构，

其中使所述衬底输送单元在所述源等离子体模块和所述反应性等离子体模块之间交替移动以在所述衬底上沉积所述无机薄膜，

其中所述源等离子体模块中的每一个通过使用惰性气体和前体进行等离子体处理，所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属，以及

其中所述无机薄膜用作包封膜。

7.根据权利要求6所述的制备装置，

其中所述反应物等离子体模块中的每一个通过使用反应物气体进行等离子体处理，所述反应物气体选自由N₂、H₂、O₂、N₂O、NH₃以及它们的组合组成的群组。