[发明专利]相变化存储器单元的形成方法

摘要

公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。

主权项

1.一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层的一第一结构上形成穿过该第三介电层及该第二介电层的一冠状结构，其中该冠状结构直接接触该第一介电层的顶表面，且该第一介电层用作该第二介电层的蚀刻停止层；沉积一第四介电层在该第一结构上，使得该第四介电层覆盖该第三介电层的表面、该冠状结构的侧壁以及表面，其中该第四介电层在该第四介电层所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除该第四介电层的一部分，以形成具有该第四介电层的剩余部分的一第一间隙物；移除该第四介电层的该部分时也移除该第三介电层的一部分，而形成具有该第三介电层的剩余部分的一第二间隙物，因而形成一第二结构；在该第二结构上沉积一相变化层；在该相变化层上沉积一电极层；以及利用一化学机械研磨工艺移除部分的该相变化层及该电极层，以形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。