[发明专利]相变化存储器单元的形成方法

权利要求书

1.一种相变化存储器单元的形成方法，包括：

在具有一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层的一第一结构上形成穿过该第三介电层及该第二介电层的一冠状结构，其中该冠状结构直接接触该第一介电层的顶表面，且该第一介电层用作该第二介电层的蚀刻停止层；

沉积一第四介电层在该第一结构上，使得该第四介电层覆盖该第三介电层的表面、该冠状结构的侧壁以及表面，其中该第四介电层在该第四介电层所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；

移除该第四介电层的一部分，以形成具有该第四介电层的剩余部分的一第一间隙物；移除该第四介电层的该部分时也移除该第三介电层的一部分，而形成具有该第三介电层的剩余部分的一第二间隙物，因而形成一第二结构；

在该第二结构上沉积一相变化层；

在该相变化层上沉积一电极层；以及

利用一化学机械研磨工艺移除部分的该相变化层及该电极层，以形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。

2.如权利要求1所述的相变化存储器单元的形成方法，其中该第一间隙物具有一第一开口，该第一开口大于该第二间隙物的一第二开口。

3.如权利要求1所述的相变化存储器单元的形成方法，其中该第一间隙物及该第二间隙物造成该电极层的剩余部分具有一第一端，该第一端小于一第二端。

4.如权利要求1所述的相变化存储器单元的形成方法，还包括：

在该电极层的剩余部分上形成一接触插塞；

其中该电极区的第一表面接触该接触插塞，并且该第一表面大于该接触插塞的表面。

5.如权利要求2所述的相变化存储器单元的形成方法，其中利用一化学机械研磨工艺移除部分的该相变化层及该电极层，以形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区，包括：

在该第一开口上沉积一相变化层；在该相变化层上沉积一电极层；以及借由第一化学机械研磨工艺移除部分该相变化层及该电极层，以形成具有该相变化层的剩余部分的该相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的该电极区；或

在该第一开口上沉积该相变化层；借由一第二化学机械研磨工艺移除该相变化层的一部分，以形成该相变化区；在该相变化区上沉积该电极层，而后借由一第三化学机械研磨工艺移除该电极层的一部分，以形成该电极区。

6.如权利要求1所述的相变化存储器单元的形成方法，还包括：

在该相变化层的剩余部分下形成一接触插塞。

7.如权利要求1至6中任一项所述的相变化存储器单元的形成方法，其中该第一介电层由氧化物形成，该第二介电层由氮化物形成，该第三介电层由氧化物形成并且该第四介电层由氮化物形成。

8.如权利要求7所述的相变化存储器单元的形成方法，其中该第四介电层由与该第二介电层相同的材料形成。

9.如权利要求1至6中任一项所述的相变化存储器单元的形成方法，其中该第二介电层用作该第三介电层的蚀刻停止层。