[发明专利]可见‑近红外波段的超宽带吸收器及制备方法有效
申请号: | 201510469463.7 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105161141B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 沈伟东;杨陈楹;章岳光;方波;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G12B17/04 | 分类号: | G12B17/04 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 黄燕 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种可见‑近红外波段的超宽带吸收器及其制备方法,吸收器由基底、底部金属吸收层、锗层/金属吸收层交替膜层顶部锗层以及顶部锗层的上面的折射率逐渐减小的三层宽波段减反膜层。本发明基于金属吸收层的阻挡入射作用结合锗层的宽波段减反膜层,构建了宽波段的无透射的减反结构,实现了高效率、角度不敏感的可见—近红外波段超宽带吸收,在性能上完全超越了传统的吸收器。本发明的吸收器是紧凑的多层薄膜结构,相比于传统的宽带吸收器以及近些年提出的人工电磁吸收器,结构更加简单,避免了复杂的纳米加工技术,生产成本显著下降,生产周期显著缩短,便于大规模、批量化生产。 | ||
搜索关键词: | 可见 红外 波段 宽带 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可见‑近红外波段的超宽带吸收器,包括基底,其特征在于,所述基底上依次设有底部金属吸收层、锗层/金属吸收层交替膜层、顶部锗层以及三层宽波段减反膜层;所述三层宽波段减反膜层分别包括依次设置在顶部锗层上的底层、中间层和最外层,底层、中间层和最外层的折射率逐渐减小;所述锗层/金属吸收层交替膜层由一个或多个锗层/金属吸收层单元组成,其中锗层靠近底部金属吸收层设置;所述底层材料为硅。
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