[发明专利]可见‑近红外波段的超宽带吸收器及制备方法有效
| 申请号： | 201510469463.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105161141B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 沈伟东;杨陈楹;章岳光;方波;刘旭 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G12B17/04 | 分类号： | G12B17/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可见 红外 波段 宽带 吸收 制备 方法 | ||
1.一种可见-近红外波段的超宽带吸收器，包括基底，其特征在于，所述基底上依次设有底部金属吸收层、锗层/金属吸收层交替膜层、顶部锗层以及三层宽波段减反膜层；所述三层宽波段减反膜层分别包括依次设置在顶部锗层上的底层、中间层和最外层，底层、中间层和最外层的折射率逐渐减小；所述锗层/金属吸收层交替膜层由一个或多个锗层/金属吸收层单元组成，其中锗层靠近底部金属吸收层设置；所述底层材料为硅。
2.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述基底材料选自K9、熔融石英、浮法玻璃、硅、砷化镓。
3.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述底部金属吸收层材料选自铬、钛、铱、钨、镍以及上述材料的合金。
4.根据权利要求1或3所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述底部金属吸收层的厚度大于100nm。
5.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述锗层/金属吸收层交替膜层中各层厚度为10nm—80nm。
6.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述顶部锗层厚度为10nm—40nm。
7.根据权利要求1所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述中间层材料选自二氧化钛、氧化铪、氧化钽、氮化硅；所述最外层材料选自氟化镁、二氧化硅、氟化钇。
8.根据权利要求6所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述底层的厚度为10nm—40nm；所述中间层的厚度为30nm—80nm；所述最外层的厚度为70nm—130nm。
9.根据权利要求6或7所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器，其特征在于，所述中间层材料为二氧化钛，所述最外层材料为氟化镁。
10.一种权利要求1-9任一权利要求所述的可见-近红外波段的超宽带吸收器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)根据所要求的吸收器带宽要求和吸收率要求，通过优化设计得出各层薄膜的厚度，确定符合要求的膜系；
(2)将基底放入丙酮中超声，用乙醇清洗基底；然后将基底放入乙醇中超声，用去离子水清洗基底；最后将基底放入去离子水中超声，接着用去离子水再次清洗基底；
(3)采用真空镀膜依次沉积各膜层，得到可见—近红外波段的超宽带吸收器。
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