[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在第一区域衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，在第二区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层以及伪栅层，在第三区域衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层以及伪栅层；在衬底表面形成层间介质层；刻蚀去除第一区域、第二区域和第三区域的伪栅层；刻蚀去除第一区域的第一氧化层；对暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；刻蚀去除第二区域的第一阻挡层和第一氧化层；采用氧化工艺在第一区域衬底表面形成第二氧化层，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化层，且所述第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度。本发明提高了半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底，所述衬底表面形成有第一氧化膜，其中，所述第二区域和第三区域的第一氧化膜表面形成有第一阻挡膜，且所述第三区域的第一阻挡膜上形成有第二阻挡膜；在所述第一区域的第一氧化膜表面、第二区域的第一阻挡膜表面、以及第三区域的第二阻挡膜表面形成伪栅膜；图形化所述伪栅膜、第二阻挡膜、第一阻挡膜以及第一氧化膜，在第一区域的衬底表面形成第一氧化层以及伪栅层，在第二区域的衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层以及伪栅层，在第三区域的衬底表面形成第一氧化层、第一阻挡层、第二阻挡层以及伪栅层；在所述衬底表面形成层间介质层，且层间介质层顶部与伪栅层顶部齐平；刻蚀去除所述第一区域、第二区域和第三区域的伪栅层；刻蚀去除所述第一区域的第一氧化层，暴露出第一区域部分衬底表面；对所述暴露出的第一区域衬底进行掺杂处理，降低氧化工艺氧化第一区域衬底的氧化速率；刻蚀去除所述第二区域的第一阻挡层和第一氧化层；采用氧化工艺对所述暴露出的第一区域衬底、第二区域衬底进行氧化处理，在第一区域衬底表面形成第二氧化层，同时在第二区域衬底表面形成第三氧化层，且所述第二氧化层的厚度小于第三氧化层的厚度，所述第三氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。