[发明专利]一种陶瓷电容器的制作方法

摘要

本发明公开了一种能够显著改善超高压陶瓷电容器湮灭击穿性能的半导化玻璃釉及其制备和使用的方法，该半导体玻璃釉浆料包括陶瓷粉末、玻璃釉粉末、松油醇以及乙基纤维素，其中玻璃釉粉末的重量为陶瓷粉末重量的2.1‑2,8倍；松油醇的重量为玻璃釉粉末的重量的28％‑31％；乙基纤维素的重量为玻璃釉粉末重量的5％‑6％；陶瓷粉末由重量百分比为79.2％‑91.5％的SnO2粉末和8.5％‑20.8％的Sb2O3经过烧结、研磨、过筛制得；玻璃釉粉末由重量百分比为66％‑86％的PbO粉末，3％‑9％的B2O3粉末和11％‑25％的SiO2粉末经过烧结、研磨、过筛制得。制备高压陶瓷电容器时，包括了涂覆并烧渗有上述半导体玻璃釉浆料。涂覆并烧渗有半导体玻璃釉浆料之后，可以显著提升高压陶瓷电容器的电击穿场强。

主权项

一种高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于，所述高压陶瓷电容器结构为：包括陶瓷基体(1)、金属电极层(2)和电极引出端(4)，所述陶瓷基体(1)含有两个平行端面，所述陶瓷基体(1)的平行端面分为中心区域和外围区域，外围区域与中心区域面积之和为介质陶瓷内芯端面的面积，所述中心区域设置有金属电极层(2)，所述电极引出端(4)一端设置在金属电极层上，所述外围区域设置有第一半导体玻璃釉层(31)，所述第一半导体玻璃釉层(31)由半导体玻璃釉浆料涂覆并烧渗而成；所述金属电极层(2)边缘设置有第二半导体玻璃釉层(32)，所述第二半导体玻璃釉层(32)由半导体玻璃釉浆料涂覆并烧渗而成；制作方法包含以下步骤：1)在所述陶瓷基体(1)平行端面的中心区域内涂覆并烧渗金属电极层(2)；2)分别在所述陶瓷基体(1)平行端面的外围区域，以及所述金属电极层(2)边缘区域涂覆涂覆所述半导体玻璃釉浆料，在470‑550℃温度下烧渗，保温5‑15分钟，形成所述第一半导体玻璃釉层(31)和第二半导体玻璃釉层(32)；其中，所述半导体玻璃釉浆料包括陶瓷粉末、玻璃釉粉末、松油醇以及乙基纤维素，其中所述玻璃釉粉末的重量为所述陶瓷粉末重量的2.1‑2.8倍；所述松油醇的重量为所述玻璃釉粉末的重量的28％‑31％；所述的乙基纤维素的重量为所述的玻璃釉粉末重量的5％‑6％；所述的陶瓷粉末由重量百分比为79.2％‑91.5％的SnO2粉末和8.5％‑20.8％的Sb2O3经过烧结、研磨、过筛制得；所述的玻璃釉粉末由重量百分比为66％‑86％的PbO粉末，3％‑9％的B2O3粉末和11％‑25％的SiO2粉末经过烧结、研磨、过筛制得。