[发明专利]一种陶瓷电容器的制作方法

权利要求书

1.一种高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于，

所述高压陶瓷电容器结构为：包括陶瓷基体(1)、金属电极层(2)和电极引出端(4)，所述陶瓷基体(1)含有两个平行端面，所述陶瓷基体(1)的平行端面分为中心区域和外围区域，外围区域与中心区域面积之和为介质陶瓷内芯端面的面积，所述中心区域设置有金属电极层(2)，所述电极引出端(4)一端设置在金属电极层上，所述外围区域设置有第一半导体玻璃釉层(31)，所述第一半导体玻璃釉层(31)由半导体玻璃釉浆料涂覆并烧渗而成；

所述金属电极层(2)边缘设置有第二半导体玻璃釉层(32)，所述第二半导体玻璃釉层(32)由半导体玻璃釉浆料涂覆并烧渗而成；

制作方法包含以下步骤：

1)在所述陶瓷基体(1)平行端面的中心区域内涂覆并烧渗金属电极层(2)；

2)分别在所述陶瓷基体(1)平行端面的外围区域，以及所述金属电极层(2)边缘区域涂覆涂覆所述半导体玻璃釉浆料，在470-550℃温度下烧渗，保温5-15分钟，形成所述第一半导体玻璃釉层(31)和第二半导体玻璃釉层(32)；

其中，所述半导体玻璃釉浆料包括陶瓷粉末、玻璃釉粉末、松油醇以及乙基纤维素，其中所述玻璃釉粉末的重量为所述陶瓷粉末重量的2.1-2.8倍；所述松油醇的重量为所述玻璃釉粉末的重量的28％-31％；所述的乙基纤维素的重量为所述的玻璃釉粉末重量的5％-6％；所述的陶瓷粉末由重量百分比为79.2％-91.5％的SnO₂粉末和8.5％-20.8％的Sb₂O₃经过烧结、研磨、过筛制得；所述的玻璃釉粉末由重量百分比为66％-86％的PbO粉末，3％-9％的B₂O₃粉末和11％-25％的SiO₂粉末经过烧结、研磨、过筛制得。

2.根据权利要求1所述的高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于，所述金属电极层(2)的面积为所述陶瓷基体(1)平行端面面积的60～90％，第二半导体玻璃釉层(32)面积为金属电极层(2)的面积的7.5～50％。

3.根据权利要求1或2所述的高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于，所述第一半导体玻璃釉层(31)的厚度为5～100μm。

4.根据权利要求3所述的高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于，所述第一半导体玻璃釉层(31)的厚度为30～50μm。

5.根据权利要求1所述的高压陶瓷电容器的制作方法，其特征在于：烧渗时的温度为470-490℃。