[发明专利]紫外光发光二极管有效
| 申请号： | 201510455286.7 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105322064B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 韩昌锡;李阿兰车;金华睦 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王占杰;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有改善的内部量子效率的紫外光发光二极管。该紫外光发光二极管包括：包括AlGaN层或AlInGaN层的n型接触层；包括AlGaN层或AlInGaN层的p型接触层；以及具有多量子阱结构的有源区，其中有源区包括以交替的方式彼此堆叠的阱层和阻挡层，且阱层包括根据其概率分布函数存在的电子和空穴。阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成且Al含量为10％‑30％；阻挡层中的至少一个具有比阱层之一更小的厚度；阻挡层中的至少一个的厚度和带隙防止注入到与阻挡层相邻的阱层中且限制其中的电子和空穴扩散到另一相邻的阱层中，从而降低UV光发光二极管的驱动电压，同时改善内部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种紫外光发光二极管，其包括：/n包括AlGaN层的n型接触层；/n包括AlGaN层或AlInGaN层的p型接触层；以及/n具有置于n型接触层和p型接触层之间的多量子阱结构的有源区，具有多量子阱结构的有源区包括以交替的方式彼此堆叠的阱层和阻挡层，阱层包括根据电子和空穴的概率分布函数存在的电子和空穴，/n其中，阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成且Al含量为10％-30％；/n置于阱层之间的阻挡层中的至少一个具有比阱层中的每一个更小的厚度，/n置于阱层之间的阻挡层中的至少一个的厚度和带隙防止注入到与阻挡层相邻的阱层中且限制其中的电子和空穴扩散到另一相邻的阱层中，并且/nn型接触层包括调制掺杂层。/n
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