[发明专利]紫外光发光二极管

权利要求书

1.一种紫外光发光二极管，其包括：

包括AlGaN层的n型接触层；

包括AlGaN层或AlInGaN层的p型接触层；以及

具有置于n型接触层和p型接触层之间的多量子阱结构的有源区，具有多量子阱结构的有源区包括以交替的方式彼此堆叠的阱层和阻挡层，阱层包括根据电子和空穴的概率分布函数存在的电子和空穴，

其中，阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成且Al含量为10％-30％；

置于阱层之间的阻挡层中的至少一个具有比阱层中的每一个更小的厚度，

置于阱层之间的阻挡层中的至少一个的厚度和带隙防止注入到与阻挡层相邻的阱层中且限制其中的电子和空穴扩散到另一相邻的阱层中，并且

n型接触层包括调制掺杂层。

2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，位于阱层之间的阻挡层中的至少一个的厚度为阱层中的每一个的厚度的50％至小于100％。

3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，阻挡层中的至少一个的厚度为2nm-3nm，阱层中的每一个的厚度为3nm-4nm。

4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，阱层具有5％或更少的In含量，阻挡层具有1％或更少的In含量，阻挡层的In含量小于阱层的In含量。

5.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，阱层具有5％或更少的Al含量，阻挡层具有10％-30％的Al含量，有源区中阻挡层的厚度与其Al含量成反比。

6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其还包括：

至少一个电子控制层，置于n型接触层和有源区之间；

电子控制层由AlInGaN或AlGaN形成，且具有比n型接触层更高的Al含量。

7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，p型接触层包括下部高浓度掺杂层、上部高浓度掺杂层以及置于下部高浓度掺杂层和上部高浓度掺杂层之间的低浓度掺杂层。

8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其中，n型接触层还包括下部AlGaN层以及置于下部AlGaN层和所述调制掺杂层之间的多层结构的中间层。

9.如权利要求8所述的紫外光发光二极管，其中，多层结构的中间层具有通过交替堆叠AlGaN层和GaN层形成的结构。

10.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其还包括：

置于n型接触层和有源区之间的超晶格层；以及

置于超晶格层和有源区之间的电子注入层，

电子注入层具有比超晶格层更高的n型杂质掺杂浓度。

11.如权利要求10所述的紫外光发光二极管，其还包括：

置于n型接触层和超晶格层之间的未掺杂的AlGaN层；

低浓度AlGaN层，置于未掺杂的AlGaN层和超晶格层之间且以比n型接触层更低的浓度掺杂n型杂质；以及

高浓度AlGaN层，置于低浓度AlGaN层和超晶格层之间，且以比低浓度AlGaN层更高的浓度掺杂n型杂质。