[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，包括：形成半导体衬底，所述半导体衬底中形成有待连接结构；在所述半导体衬底上依次形成介电层和金属硬掩模层；以所述金属硬掩模层为掩模刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成露出所述待连接结构的沟槽和通孔；去除所述金属硬掩模层后，向所述沟槽和通孔内填充导电材料，以形成互连结构。本发明通过刻蚀金属硬掩模层和介电层以形成沟槽和通孔后，向沟槽和通孔内填充导电材料之前去除金属硬掩模层，以释放金属硬掩模层内残留的应力，减小所述应力所引起的介电层形变，使位于介质层中的沟槽和通孔具有较好的形貌，从而减少金属导电层空洞缺陷，进而防止金属方块电阻变高，提高了半导体器件的电性稳定性和可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：形成半导体衬底，所述半导体衬底中形成有待连接结构；在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层上形成金属硬掩模层；以所述金属硬掩模层为掩模刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成露出所述待连接结构的沟槽和通孔，所述沟槽底部和通孔顶部相连通且所述沟槽开口尺寸大于所述通孔开口尺寸；形成沟槽和通孔后，去除所述金属硬掩模层；去除所述金属硬掩模层后，向所述沟槽和通孔内填充导电材料，以形成互连结构；去除所述金属硬掩模层的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，形成所述沟槽和通孔的步骤包括主刻蚀工艺，以及主刻蚀工艺之后的过刻蚀工艺；当去除所述金属硬掩模层的工艺为干法刻蚀工艺时，所述去除所述金属硬掩模层，包括：在主刻蚀工艺之后，过刻蚀工艺之前，采用第一刻蚀工艺去除所述金属硬掩模层；或者，在过刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺去除所述金属硬掩模层；或者，在主刻蚀工艺之后过刻蚀工艺之前进行第一刻蚀工艺且在过刻蚀工艺之后进行第二刻蚀工艺以去除所述金属硬掩模层；当去除所述金属硬掩模层的工艺为湿法刻蚀工艺时，所述去除所述金属硬掩模层，包括：在过刻蚀工艺之后，采用刻蚀溶液去除所述金属硬掩模层。