[发明专利]一种多晶硅生产过程中反应原料流量的控制方法有效

专利信息
申请号: 201510450821.X 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN105045303B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 张建庆;张留;周欣 申请(专利权)人: 新疆大全新能源有限公司
主分类号: G05D11/13 分类号: G05D11/13
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348 代理人: 王伟锋,刘铁生
地址: 832000 新疆维吾尔自治*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种多晶硅生产过程中反应原料流量的控制方法,涉及多晶硅制备领域,解决了PID控制干扰问题,达到控制精确的目的,本发明主要技术方案为先利用PID控制将反应原料从初始流量调节至第一目标流量并稳定在第一目标流量,得到调节阀的第一目标开度;得到所述调节阀的第一目标开度后,通过将反应原料的流量调节阀从第一目标开度至最终目标开度分成至少一段进行调节,从而控制相应反应原料的流量,其中前一段的终止开度为相邻下一段的起始开度,且在每段对应的调节时间段内,每段的起始开度至终止开度匀速递变;其中,三氯氢硅和氢气的分段数目相同,且一一对应;本发明方法对多晶硅反应原料的流量控制具有抗干扰和控制精确的优点。
搜索关键词: 一种 多晶 生产过程 反应 原料 流量 控制 方法
【主权项】:
一种多晶硅生产过程中反应原料流量的控制方法,所述反应原料为三氯氢硅和氢气,所述三氯氢硅和氢气的流量符合反应原料的设计质量比,其特征在于,包括以下步骤:通过PID控制将反应原料流量从初始流量调节至第一目标流量,并使反应原料流量稳定在所述第一目标流量,此时,调节反应原料流量的流量调节阀的开度为第一目标开度;其中,所述三氯氢硅的第一目标流量为三氯氢硅的最终目标流量的1%‑10%,并得到与所述三氯氢硅的第一目标流量对应的调节三氯氢硅流量的流量调节阀的第一目标开度;所述氢气的第一目标流量根据氢气与三氯氢硅的设计质量比和所述三氯氢硅的第一目标流量确定,并得到与所述氢气的第一目标流量对应的调节氢气流量的流量调节阀的第一目标开度;采用PID控制得到调节反应原料流量的流量调节阀的第一目标开度后,通过将所述反应原料的流量调节阀从第一目标开度至最终目标开度分成至少一段进行调节,从而控制相应反应原料的流量,其中前一段的终止开度为相邻下一段的起始开度,且在每段对应的调节时间段内,反应原料的流量调节阀的开度从该段的起始开度匀速递变至该段的终止开度;其中,三氯氢硅和氢气的分段数目相同,且一一对应。
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