[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。本发明之制造方法系先在基板上连续沉积形成一金属层薄膜，接着沉积一层铟锡氧化物(ITO)，并涂布一层光阻，使得经过第一道光罩制程后即可同时形成源漏极图案、数据线以及像素电极的阳极。接着分别依序制作一有机半导体层、一有机绝缘层、一栅电极和一扫描线以及一钝化层。最后在像素电极(即OLED阳极)处对覆盖的钝化层进行挖洞，使底层电极裸露于外，再镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成OLED器件。

主权项

一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤为:提供一基板；在基板上沉积一金属层及一ITO层,然后覆盖上光阻,通过第一道光罩制程将所述金属层及ITO层图案化后，使部分金属层曝露于ITO层外，以利用所述金属层形成一源电极及一漏电极，并利用所述金属层与所述ITO层形成一数据线以及一像素电极；在目前具有数据线、源电极、漏电极以及像素电极的阵列基板上涂布一有机半导体层,通过第二道光罩制程以形成一有源层，然后在有机半导体层上涂布一有机绝缘层,使其覆盖于整个目前的阵列基板表面上，其中所述有机半导体层覆盖所述源电极与所述漏电极上构成有源层，所述有机绝缘层配置于所述有机半导体层之上方并曝露所述像素电极；在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程以形成栅电极和扫描线，其中栅电极和扫描线是配置于所述有机绝缘层之上，然后在目前的阵列基板上再涂布一整面的有机绝缘层以形成一钝化层,使钝化层覆盖于整个目前的阵列基板表面上；钝化层通过第四道光罩制程以使得ITO像素电极裸露于外，其中所述钝化层配置于所述栅电极之上方并覆盖所述有机绝缘层；以及镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成一OLED器件。