[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤为:

提供一基板；

在基板上沉积一金属层及一ITO层,然后覆盖上光阻,通过第一道光罩制程将所述金属层及ITO层图案化后，使部分金属层曝露于ITO层外，以利用所述金属层形成一源电极及一漏电极，并利用所述金属层与所述ITO层形成一数据线以及一像素电极；

在目前具有数据线、源电极、漏电极以及像素电极的阵列基板上涂布一有机半导体层,通过第二道光罩制程以形成一有源层，然后在有机半导体层上涂布一有机绝缘层,使其覆盖于整个目前的阵列基板表面上，其中所述有机半导体层覆盖所述源电极与所述漏电极上构成有源层，所述有机绝缘层配置于所述有机半导体层之上方并曝露所述像素电极；

在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程以形成栅电极和扫描线，其中栅电极和扫描线是配置于所述有机绝缘层之上，然后在目前的阵列基板上再涂布一整面的有机绝缘层以形成一钝化层,使钝化层覆盖于整个目前的阵列基板表面上；

钝化层通过第四道光罩制程以使得ITO像素电极裸露于外，其中所述钝化层配置于所述栅电极之上方并覆盖所述有机绝缘层；以及

镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成一OLED器件。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第一道光罩制程包括采用第一张光罩对光阻层进行曝光、显影、图形化作业。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第一道光罩制程还包括在光阻层图形化后,使用蚀刻液对ITO层、底层金属层进行湿刻,然后运用电浆对光阻层进行灰化处理，以及进行光阻残渣去除作业。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在第一道光罩制程后,除了源电极和漏电极所在之处，所述金属层表面皆被ITO层覆盖。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第二道光罩制程包括采用第二张光罩对有机半导体层进行曝光、显影、图形化作业。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第三道光罩制程包括采用第三张光罩对金属层进行曝光、显影、图形化作业。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第四道光罩制程包括采用第四张光罩对所述钝化层进行曝光、显影、图形化作业。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第四道光罩制程还包括运用干刻的方式去除像素电极表面的有机绝缘层及钝化层。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上沉积一金属层及一ITO层中,所述金属层为银金属(Ag)。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅电极和扫描线之材料为铝(Al)系金属、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或铜(Cu)金属。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述涂布是利用浸渍涂布(dip coating),旋转涂布(spin-coating),刮刀涂布(blade coating),或接触式涂布(contact coating)实行。

12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上的制备方法为蒸镀或溅射。

13.一种有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机薄膜晶体管阵列基板运用如权利要求1所述的制作方法所制造的。

14.一种有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括:

一基板；

形成于所述基板上的一金属层与形成于所述金属层上的一ITO层,被加以图案化后，使部分金属层曝露于ITO层外，以利用所述金属层形成一源电极及一漏电极，并利用所述金属层与所述ITO层形成一数据线以及一像素电极；

一有机半导体层,覆盖所述源电极与所述漏电极上构成有源层；

一有机绝缘层,是配置于所述有机半导体层之上方,并曝露所述像素电极；

一栅电极和扫描线,是配置于所述有机绝缘层之上；以及

一钝化层,是配置于所述栅电极之上方,并覆盖所述有机绝缘层。