[发明专利]一种太阳能电池在审
| 申请号： | 201510442617.3 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN106653876A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈伟文;尤宇文;宋广华 | 申请（专利权）人： | 钧石(中国)能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池，包括N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；所述铜栅线电极的表面被锡层完全包覆。本发明不仅克服了银浆丝网印刷的缺点，还具有提高转换效率，降低工艺成本的优点，在铜栅线电极的表面再进行包覆锡，即可防止铜栅线电极在空气中放置时间长被氧化，又可以作为助焊层连接主栅与焊带，并增强两者之间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层；设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层；设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极；所述铜栅线电极的表面被锡层完全包覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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